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BU105

更新时间： 2024-11-15 06:44:31

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	246K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BU105 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

BU105 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU105

DESCRIPTION

·High Voltage-V_CER= 1500V(Min.)

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 5.0V(Max.)@ I_C= 2.5A

APPLICATIONS

·Designed for use in line operated B&W(19 and 20 inch 110℃

deflection circuits ) or color ( 11 and 14 inch 90℃ deflection

circuits TV receivers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CER

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

1500

750

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage R_BE= 100Ω

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

2.5

Collector Power Dissipation

@T_C= 90℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

115

-65~115

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

2.5

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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