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BU109

更新时间： 2024-10-01 06:44:31

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2页	63K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BU109 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

BU109 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU109

DESCRIPTION

·Excellent Safe Operating Area

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.0 V(Max)@ I_C= 5A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 150 V(Min)

APPLICATIONS

·Designed for horizontal deflection output stage of TVs and

CRTs applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEV

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

330

150

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage- V_BE= -1.5V

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak(Repetitive)

Collector Current-Peak(t= 10ms)

Base Current

I_CM

I_B

P_C

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

℃

T_J

150

-65~150

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

2.08

UNIT

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

Thermal Resistance,Junction to Ambient

R_{th j-c}

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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