BU104

更新时间： 2024-11-15 06:44:31

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	193K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BU104 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

BU104 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU104

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 150V(Min.)

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 2.5V(Max.)@ I_C= 7A

APPLICATIONS

·Designed for use in horizontal deflexion output stage of B/W

TV receivers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_CEX

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

400

150

400

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Collector-Emitter Voltage V_BE= -5V

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak Repetitive

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C= 25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

200

-65~200

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

2.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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