BTS113A

更新时间： 2024-10-14 22:27:59

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描述
TEMPFET (N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)

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BTS113A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11.5 A	最大漏极电流 (ID)：	11.5 A
最大漏源导通电阻：	0.17 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	46 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BTS113A 数据手册

TEMPFET

BTS 113A

Features

● N channel

● Logic level

● Enhancement mode

● Temperature sensor with thyristor characteristic

● The drain pin is electrically shorted to the tab

Type

V_DS

I_D

R_DS(on)

Package

TO-220AB

Ordering Code

BTS 113A

60 V

11.5 A

0.17 Ω

C67078-S5015-A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain-source voltage

V_DS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-gate voltage, R_GS= 20 kΩ

Gate-source voltage

± 10

11.5

2.2

Continuous drain current, T_C= 25 °C

ISO drain current

I_D-ISO

T_C= 85 ˚C, V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 V

Pulsed drain current,

Short circuit current,

T_C= 25 °C

T_j= – 55 ... + 150 °C

I_{D puls}

I_SC

Short circuit dissipation, T_j= – 55 ... + 150 °C

Power dissipation

400

P_SCmax

P_tot

Operating and storage temperature range

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

T_j, T_stg

–

– 55 ... + 150

°C

–

55/150/56

Thermal resistance

Chip-case

Chip-ambient

K/W

R_{th JC}

R_{th JA}

≤ 3.1

≤ 75

Semiconductor Group

04.97

12 3 4 5 6 7...9

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BTS113A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK100-50GL,127	NXP	功能相似	BUK100-50GL - PowerMOS transistor Logic level TOPFET TO-220 3-Pin
BTS115	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 50V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
BTS110	INFINEON	功能相似	TEMPFET (N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)

与BTS113A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BTS113-A	ETC	获取价格	?N-Channel TEMPFET?
BTS114	INFINEON	获取价格	TEMPFET (N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
BTS114A	INFINEON	获取价格	TEMPFET (N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
BTS114-A	ETC	获取价格	?N-Channel TEMPFET?
BTS114AE3044	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BTS114A-E3044	INFINEON	获取价格	17A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, 3 PIN
BTS114AE3045	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BTS114AE3045A	ROCHESTER	获取价格	17A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, 3 PIN
BTS114AE3045ANTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BTS114ANKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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