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BTS114AE3044

更新时间： 2024-10-15 15:46:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	575K
描述
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220ABSMD VERSION, 3 PIN

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BTS114AE3044 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	17 A	最大漏极电流 (ID)：	17 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	68 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BTS114AE3044 数据手册

TEMPFET^®BTS 114 A

Features

● N channel

● Enhancement mode

● Temperature sensor with thyristor characteristic

● The drain pin is electrically shorted to the tab

Type

V_DS

I_D

R_DS(on)

Package

TO-220AB

Ordering Code

BTS 114A

50 V

17 A

0.10 Ω

C67078-S5000-A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain-source voltage

V_DS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-gate voltage, R_GS= 20 kΩ

Gate-source voltage

± 20

Continuous drain current, T_C= 27 °C

ISO drain current

I_D-ISO

3.8

T_C= 85 °C, V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 V

Pulsed drain current,

Short circuit current,

T_C= 25 °C

T_j= – 55 ... + 150 °C

I_{D puls}

I_SC

Short circuit dissipation, T_j= – 55 ... + 150 ° C

Power dissipation

550

P_SCmax

P_tot

Operating and storage temperature range

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

T_j, T_stg

–

– 55 ... + 150

°C

–

55/150/56

Thermal resistance

Chip-case

Chip-ambient

K/W

R_{th JC}

R_{th JA}

≤ 2.5

≤ 75

19.02.04

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BTS114A-E3044	INFINEON	获取价格	17A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, 3 PIN
BTS114AE3045	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BTS114AE3045A	ROCHESTER	获取价格	17A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, 3 PIN
BTS114AE3045ANTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BTS114ANKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BTS114-E3044	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BTS114-E3045	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BTS114-E3046	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BTS115	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 50V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
BTS115A	INFINEON	获取价格	TEMPFET (N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characte

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