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BTS114ANKSA1

更新时间： 2024-10-16 03:42:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	575K
描述
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

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BTS114ANKSA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (ID)：	17 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	68 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BTS114ANKSA1 数据手册

TEMPFET^®BTS 114 A

Features

● N channel

● Enhancement mode

● Temperature sensor with thyristor characteristic

● The drain pin is electrically shorted to the tab

Type

V_DS

I_D

R_DS(on)

Package

TO-220AB

Ordering Code

BTS 114A

50 V

17 A

0.10 Ω

C67078-S5000-A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain-source voltage

V_DS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-gate voltage, R_GS= 20 kΩ

Gate-source voltage

± 20

Continuous drain current, T_C= 27 °C

ISO drain current

I_D-ISO

3.8

T_C= 85 °C, V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 V

Pulsed drain current,

Short circuit current,

T_C= 25 °C

T_j= – 55 ... + 150 °C

I_{D puls}

I_SC

Short circuit dissipation, T_j= – 55 ... + 150 ° C

Power dissipation

550

P_SCmax

P_tot

Operating and storage temperature range

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

T_j, T_stg

–

– 55 ... + 150

°C

–

55/150/56

Thermal resistance

Chip-case

Chip-ambient

K/W

R_{th JC}

R_{th JA}

≤ 2.5

≤ 75

19.02.04

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BTS114-E3044	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BTS114-E3045	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BTS114-E3046	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BTS115	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 50V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
BTS115A	INFINEON	获取价格	TEMPFET (N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characte
BTS115A	ROCHESTER	获取价格	15.5A, 50V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
BTS115-A	ETC	获取价格	?N-Channel TEMPFET?
BTS115AE3045	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BTS115AE3045ANTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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