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BTS115AE3045

更新时间： 2025-07-21 14:48:11

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	546K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB SMD VERSION, 3 PIN

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BTS115AE3045 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220AB SMD VERSION, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15.5 A	最大漏极电流 (ID)：	15.5 A
最大漏源导通电阻：	0.12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	62 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BTS115AE3045 数据手册

TEMPFET^®BTS 115 A

Features

● N channel

● Logic level

● Enhancement mode

● Temperature sensor with thyristor characteristic

● The drain pin is electrically shorted to the tab

Type

V_DS

I_D

R_DS(on)

Package

TO-220AB

Ordering Code

BTS 115A

50 V

15.5 A

0.12 Ω

C67078-S5004-A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain-source voltage

V_DS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-gate voltage, R_GS= 20 kΩ

Gate-source voltage

± 10

15.5

3.2

Continuous drain current, T_C= 25 °C

ISO drain current

I_D-ISO

T_C= 85 °C, V_GS= 4.5 V, V_DS= 0.5 V

Pulsed drain current,

Short circuit current,

T_C= 25 °C

T_j= – 55 ... + 150 °C

I_{D puls}

I_SC

Short circuit dissipation, T_j= – 55 ... + 150 °C

Power dissipation

550

P_SCmax

P_tot

Operating and storage temperature range

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

T_j, T_stg

–

– 55 ... + 150

°C

–

55/150/56

Thermal resistance

Chip-case

Chip-ambient

K/W

R_{th JC}

R_{th JA}

≤ 2.5

≤ 75

19.02.04

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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