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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 基于收集器的最大容量： | 12 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 1000 ns | 最大开启时间（吨）： | 250 ns |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSR42-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| BSR42TRL | NXP |
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暂无描述 |
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| BSR42TRL | YAGEO |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| BSR42TRL13 | YAGEO |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| BSR42TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| BSR43 | ZETEX |
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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| BSR43 | NXP |
获取价格 |
NPN medium power transistors |
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| BSR43 | TYSEMI |
获取价格 |
High current (max. 1 A) Low voltage (max. 80 V). Low voltage (max. 80 V). |
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| BSR43 | HTSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR (NPN) |
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| BSR43 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Medium Power Transistors |
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