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BSPB80N06S2-09

更新时间： 2024-02-22 03:49:41

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8页	206K
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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BSPB80N06S2-09 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	70 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	190 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

BSPB80N06S2-09 数据手册

SPP80N06S2-09

SPB80N06S2-09

1 Power dissipation

= f (T )

2 Drain current

I = f (T )

tot

parameter: V ≥ 6 V

parameter: V ≥ 10 V

SPP80N06S2-09

200

160

140

120

100

°C

20 40 60 80 100 120 140 160

190

20 40 60 80 100 120 140 160 °C 190

3 Safe operating area

4 Max. transient thermal impedance

Z = f (t )

thJC

I = f ( V

)

parameter : D = 0 , T = 25 °C

parameter : D = t /T

SPP80N06S2-09

K/W

= 7.3µs

10 µs

-1

-2

-3

-4

100 µs

D = 0.50

0.20

1 ms

0.10

0.05

0.02

0.01

single pulse

10 ^-1

10 ⁰

10 ¹

10 ²

10 ^-710 ^-610 ^-510 ^-410 ^-310 ^-2

10 ⁰

Page 4

2003-05-09

1 2 345 6 7 8

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