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BSPB80N06S2-09

更新时间： 2024-01-01 03:42:05

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8页	206K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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BSPB80N06S2-09 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	70 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	190 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

BSPB80N06S2-09 数据手册

SPP80N06S2-09

SPB80N06S2-09

5 Typ. output characteristic

I = f (V ); T =25°C

6 Typ. drain-source on resistance

= f (I )

DS(on)

parameter: t = 80 µs

parameter: V

SPP80N06S2-09

190

Ptot = 190W

Ω

[V]

160

4.5

4.8

5.0

5.3

5.5

5.8

6.0

6.3

6.5

6.8

7.0

10.0

140

120

100

[V] =

5.3 5.5 5.8

6.0 6.3 6.5 6.8 7.0 10.0

5.5

80 100 120 140

170

7 Typ. transfer characteristics

8 Typ. forward transconductance

I = f ( V ); V ≥ 2 x I x R

g = f(I ); T =25°C

DS(on)max

parameter: t = 80 µs

parameter: g

160

120

100

10 20 30 40 50 60 70

Page 5

2003-05-09

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