Datasheet > BSM400GA170DLC

BSM400GA170DLC

更新时间： 2024-09-28 03:22:51

品牌	Logo	应用领域
EUPEC		晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
9页	150K
描述
IGBT-Modules

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSM400GA170DLC 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	MODULE-5
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	800 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X5
元件数量：	1	端子数量：	5
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3120 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	930 ns	标称接通时间 (ton)：	200 ns
VCEsat-Max：	3.2 V	Base Number Matches：	1

BSM400GA170DLC 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM 400 GA 170 DLC

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

V_CES

1700

T_C= 80 °C

I_C,nom.

I_C

400

800

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T_C= 25 °C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collctor current

t_P= 1 ms, T_C=80°C

T_C=25°C, Transistor

I_CRM

P_tot

V_GES

I_F

800

3120

+/- 20V

400

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

Dauergleichstrom

DC forward current

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

I_FRM

tp = 1 ms

800

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

A²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

45.000

3,4

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values

min.

typ. max.

Transistor / Transistor

_C= 400A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

2,6

3,1

3,2

3,6

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 400A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 18mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15V ... +15V

V_GE(th)

4,5

5,5

5,0

6,5

Gateladung

gate charge

Q_G

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

I_CES

1,3

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

0,1

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

200

prepared by: Regine Mallwitz

date of publication: 28.11.2000

revision: 2 (Series)

approved by: Christoph Lübke; 28.11.2000

1(8)

BSM400GA170DLC

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与BSM400GA170DLC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSM400GB60DN2	INFINEON	获取价格	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated
BSM400S-12	ASTRODYNE	获取价格	400W High Density Medical
BSM400S-15	ASTRODYNE	获取价格	400W High Density Medical
BSM400S-20	ASTRODYNE	获取价格	400W High Density Medical
BSM400S-24	ASTRODYNE	获取价格	400W High Density Medical
BSM400S-28	ASTRODYNE	获取价格	400W High Density Medical
BSM400S-36	ASTRODYNE	获取价格	400W High Density Medical
BSM400S-48	ASTRODYNE	获取价格	400W High Density Medical
BSM400S-54	ASTRODYNE	获取价格	400W High Density Medical
BSM40-12-A	ASTRODYNE	获取价格	40W Single Output Class II Medical Power Supplies

与BSM400GA170DLC相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

24
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

21
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

20
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSM400GA170DLC

BSM400GA170DLC 技术参数

BSM400GA170DLC 数据手册

与BSM400GA170DLC相关器件

与BSM400GA170DLC相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSM400GA170DLC

BSM400GA170DLC 技术参数

BSM400GA170DLC 数据手册

与BSM400GA170DLC相关器件

与BSM400GA170DLC相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？