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BSM400GA120DLCS PDF预览

BSM400GA120DLCS

更新时间： 2024-09-28 13:05:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 119K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 625A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5

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BSM400GA120DLCS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：MODULE包装说明：MODULE-5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.59
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：625 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X5
元件数量：1端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2500 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：650 ns
标称接通时间 (ton)：190 nsVCEsat-Max：2.6 V
Base Number Matches：1

BSM400GA120DLCS 数据手册

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BSM 400 GA 120 DL  
IGBT Power Module  
Preliminary data  
• Low Loss IGBT  
• Low inductance single switch  
• Including fast free- wheeling diodes  
• Package with insulated metal base plate  
Type  
V
I
Package  
Ordering Code  
CE  
C
BSM 400 GA 120 DL  
1200V 680A SINGLE SWITCH  
C67076-A2302-A70  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-gate voltage  
V
V
1200  
V
CE  
CGR  
Ω
R
= 20 k  
1200  
± 20  
GE  
Gate-emitter voltage  
DC collector current  
V
GE  
I
I
A
C
T = 25 °C  
680  
400  
C
T = 80 °C  
C
Pulsed collector current, t = 1 ms  
p
Cpuls  
T = 25 °C  
1360  
800  
C
T = 125 °C  
C
Power dissipation per IGBT  
P
W
tot  
T = 25 °C  
2700  
+ 150  
C
Chip temperature  
T
°C  
j
Storage temperature  
T
-40 ... + 125  
stg  
≤
Thermal resistance, chip case  
Diode thermal resistance, chip case  
Insulation test voltage, t = 1min.  
Creepage distance  
R
R
0.045  
0.09  
K/W  
thJC  
thJCD  
is  
≤
V
-
2500  
20  
Vac  
mm  
Clearance  
-
11  
DIN humidity category, DIN 40 040  
IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
-
F
sec  
-
40 / 125 / 56  
Semiconductor Group  
1
Feb-14-1997  
1234567...9

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BSM400GA120DLCS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FF300R12KE4 INFINEON

类似代替

 Technische Information / technical information
FZ400R12KP4 INFINEON

功能相似

 62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode
FZ400R12KE4 INFINEON

功能相似

 62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode

与BSM400GA120DLCS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSM400GA120DLCSHOSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 625A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
BSM400GA120DN2 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 550A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
BSM400GA120DN2 EUPEC

获取价格

 		IGBT Power Module
BSM400GA120DN2S EUPEC

获取价格

 		IGBT Power Module
BSM400GA170D2S INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel,
BSM400GA170DLC EUPEC

获取价格

 		IGBT-Modules
BSM400GB60DN2 INFINEON

获取价格

 		IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated
BSM400S-12 ASTRODYNE

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 		400W High Density Medical
BSM400S-15 ASTRODYNE

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 		400W High Density Medical
BSM400S-20 ASTRODYNE

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 		400W High Density Medical

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