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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 1.65 | 雪崩能效等级（Eas）： | 43 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 56 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.016 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 224 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC160N15NS5SC | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 power MOSFETs 150 V in SuperSO8 DS |
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| BSC16DN25NS3 G | INFINEON |
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英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，完全适合在 48V 系统、直 |
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| BSC16DN25NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSC16DN25NS3G_11 | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSC16DN25NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10.9A I(D), 250V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| BSC190N12NS3 G | INFINEON |
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120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能，适用于各种应用，支持实 |
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| BSC190N12NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSC190N12NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 120V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| BSC190N12NS3GXT | INFINEON |
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暂无描述 |
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| BSC190N15NS3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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