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BS850-7 PDF预览

BS850-7

更新时间： 2024-11-24 21:19:07
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 55K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3

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BS850-7 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.74配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：0.25 A
最大漏源导通电阻：5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BS850-7 数据手册

 浏览型号BS850-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS850-7的Datasheet PDF文件第3页 
BS850  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR  
DISCONTINUED,  
DESIGN  
NEW  
BSS84  
USE  
Features  
FOR  
·
·
·
·
High Input Impedance  
Fast Switching Speed  
CMOS Logic Compatible Input  
No Thermal Runaway or Secondary  
Breakdown  
SOT-23  
Min  
Dim  
A
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.05  
0.61  
2.05  
3.05  
0.15  
1.10  
0.61  
0.178  
A
0.37  
1.19  
2.10  
0.89  
0.45  
1.78  
2.65  
0.013  
0.89  
0.45  
0.076  
D
B
TOP VIEW  
B
C
C
·
Surface Mount Package Ideally Suited  
for Automatic Assembly  
D
G
S
E
D
G
E
G
H
Mechanical Data  
H
·
·
Case: SOT-23, Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202  
J
M
K
K
Method 208  
J
L
·
·
·
Pin Connection: See Diagram  
Marking: S50  
Weight: 0.008 grams (approx.)  
L
M
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
–VDSS  
–VDGS  
VGS  
Value  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Drain-Gate Voltage  
60  
60  
V
Gate-Source Voltage (pulsed)  
20  
V
–ID  
Drain Current (continuous)  
250  
310  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation @TC = 25°C (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Pd  
Tj, TSTG  
-65 to+150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Inverse Diode  
Symbol  
Value  
0.30  
Unit  
A
IF  
Maximum Forward Current (continuous)  
Forward Voltage Drop (typ.) @ VGS = 0, IF = 0.12A, Tj = 25°C  
VF  
0.85  
V
2
Notes:  
1. Device mounted on Ceramic Substrate 0.7mm; 2.5 cm area.  
DS11402 Rev. F-3  
1 of 3  
www.diodes.com  
BS850  
ã Diodes Incorporated  
123

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与BS850-7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BS850T7-7 DIODES

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 45V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BS85B12-3 HOLTEK

获取价格

 		Touch Key Flash Type 8-Bit MCU with LCD/LED Driver
BS85B12-3_12 HOLTEK

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 		Touch Key Flash Type 8-Bit MCU with LCD/LED Driver
BS85C20-3 HOLTEK

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