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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | HIGH INPUT IMPEDENCE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.25 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BS870/E8 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 250MA I(D) | SOT-23 |
|
| BS870/E9 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 250MA I(D) | SOT-23 |
|
| BS870_ | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| BS870_08 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| BS870-13 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BS870-7 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| BS870-7-F | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| BS870Q | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| BS870T7-7 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| BS87B12A-3 | HOLTEK |
获取价格 |
Touch A/D Flash MCU with OCVP |
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