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BS870

更新时间： 2024-01-24 15:55:15

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美台 - DIODES		晶体晶体管开关光电二极管
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2页	66K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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BS870 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.32
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.25 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BS870 数据手册

BS870

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT

TRANSISTOR

Features

SOT-23

Low On-Resistance

Low Gate Threshold Voltage

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

Dim

Min

0.37

1.19

2.10

0.89

0.45

1.78

2.65

0.013

0.89

0.45

0.076

Max

0.51

1.40

2.50

1.05

0.61

2.05

3.05

0.15

1.10

0.61

0.178

Low Input/Output Leakage

TOP VIEW

Mechanical Data

Case: SOT-23, Molded Plastic

Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

Terminal Connections: See Diagram

Marking: S70, K70

Weight: 0.008 grams (approx.)

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Symbol

Maximum Ratings

Characteristic

BS870

Units

V_DSS

V_DGR

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage R_GS£ 1.0MW

Gate-Source Voltage

Continuous

±20

250

310

400

K/W

°C

Drain Current (Note 1)

P_d

Total Power Dissipation (Note 1)

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating and Storage Temperature Range

R_qJA

T_j, T_STG

-55 to +150

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Electrical Characteristics

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS (Note 2)

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate-Body Leakage

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Test Condition

BV_DSS

I_DSS

V_GS= 0V, I_D= 100mA

0.5

±10

V_DS= 25V, V_GS= 0V

µA

I_GSS

_GS= ±15V, V_DS= 0V

ON CHARACTERISTICS (Note 2)

Gate Threshold Voltage

V_GS(th)

R_{DS (ON)}

I_D(ON)

V_DS= V_GS, I_D=-250mA

V_GS= 10V, I_D= 0.2A

V_GS= 10V, V_DS= 7.5V

V_DS=10V, I_D= 0.2A

1.0

2.0

3.5

1.0

3.0

5.0

0.5

Static Drain-Source On-Resistance

On-State Drain Current

g_FS

Forward Transconductance

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

C_iss

C_oss

C_rss

V_DS= 10V, V_GS= 0V

f = 1.0MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

2.0

5.0

t_D(ON)

2.0

5.0

V_ES= 10V, R_L= 150W,

V_DS= 10V, R_D= 100W

t_D(OFF)

Turn-Off Delay Time

Note: 1. Valid provided that terminals are kept at specified ambient temperature.

2. Pulse width £ 300ms, duty cycle £ 2%.

DS11302 Rev. G-2

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BS870

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BS870/E6	VISHAY	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
BS870/E7	VISHAY	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
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BS870/E9	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 250MA I(D) \| SOT-23	获取价格
BS870_	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
BS870_08	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格

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