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BS616UV1010EC10

更新时间： 2024-11-13 03:06:51
品牌 Logo 应用领域
BSI 存储静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 207K
描述
Ultra Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit

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BS616UV1010EC10 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

BS616UV1010EC10 数据手册

 浏览型号BS616UV1010EC10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS616UV1010EC10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616UV1010EC10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616UV1010EC10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616UV1010EC10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616UV1010EC10的Datasheet PDF文件第7页 
Ultra Low Power CMOS SRAM  
64K X 16 bit  
BS616UV1010  
Pb-Free and Green package materials are compliant to RoHS  
n FEATURES  
ŸWide VCC low operation voltage : 1.9V ~ 3.6V  
n DESCRIPTION  
The BS616UV1010 is a high performance, ultra low power CMOS  
Static Random Access Memory organized as 65,536 by 16 bits and  
operates form a wide range of 1.9V to 3.6V supply voltage.  
Advanced CMOS technology and circuit techniques provide both  
high speed and low power features with typical CMOS standby  
current of 0.01uA at 2.0V/25OC and maximum access time of 100ns  
at 2.0V/85OC.  
ŸUltra low power consumption :  
VCC = 2.0V  
VCC = 3.0V  
Operation current : 15mA (Max.) at 100ns  
1.0mA (Max.)at 1MHz  
Standby current : 0.01uA (Typ.)at 25OC  
Operation current : 20mA (Max.) at 100ns  
2.0mA (Max.)at 1MHz  
Standby current : 0.02uA (Typ.)at 25OC  
ŸHigh speed access time :  
Easy memory expansion is provided by an active LOW chip enable  
(CE) and active LOW output enable (OE) and three-state output  
drivers.  
-10  
100ns (Max.)  
ŸAutomatic power down when chip is deselected  
ŸEasy expansion with CE and OE options  
ŸI/O Configuration x8/x16 selectable by LB and UB pin.  
ŸThree state outputs and TTL compatible  
ŸFully static operation  
The BS616UV1010 has an automatic power down feature, reducing  
the power consumption significantly when chip is deselected.  
The BS616UV1010 is available in DICE form, JEDEC standard  
44-pin TSOP II and 48-ball BGA package.  
ŸData retention supply voltage as low as 1.5V  
n POWER CONSUMPTION  
POWER DISSIPATION  
Operating  
STANDBY  
PRODUCT  
FAMILY  
OPERATING  
TEMPERATURE  
PKG TYPE  
(ICCSB1, Max)  
(ICC, Max)  
VCC=3.0V  
VCC=2.0V  
VCC=3.0V  
VCC=2.0V  
1MHz  
fMax.  
1MHz  
fMax.  
BS616UV1010DC  
BS616UV1010AC  
BS616UV1010EC  
BS616UV1010AI  
BS616UV1010EI  
DICE  
Commercial  
1.0uA  
1.5uA  
0.5uA  
1.5mA  
2.0mA  
18mA  
0.8mA  
1.0mA  
13mA  
BGA-48-0608  
TSOP II-44  
BGA-48-0608  
TSOP II-44  
+0OC to +70OC  
Industrial  
1.0uA  
20mA  
15mA  
-40OC to +85OC  
n PIN CONFIGURATIONS  
n BLOCK DIAGRAM  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
1
2
3
4
5
6
7
8
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A5  
A6  
A7  
OE  
UB  
LB  
A8  
A13  
A15  
CE  
Address  
512  
Memory Array  
9
A14  
A12  
A7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
VCC  
VSS  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
WE  
A15  
A14  
A13  
A12  
NC  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
VSS  
VCC  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ8  
NC  
A8  
A9  
A10  
A11  
NC  
Input  
Row  
9
Decoder  
Buffer  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
512 x 2048  
BS616UV1010EC  
BS616UV1010EI  
A6  
A5  
A4  
2048  
DQ0  
Data  
Input  
Buffer  
16  
16  
16  
Column I/O  
.
.
.
.
.
.
.
.
Write Driver  
Sense Amp  
.
16  
.
Data  
Output  
Buffer  
.
.
128  
1
2
3
4
5
6
Column Decoder  
DQ15  
A
B
C
D
E
F
LB  
D8  
OE  
A0  
A1  
A2  
NC  
D0  
7
CE  
WE  
OE  
UB  
LB  
UB  
D10  
D11  
D12  
D13  
NC  
A3  
A5  
A4  
A6  
CE  
D1  
Address Input Buffer  
Control  
D9  
D2  
A11 A9 A3 A2 A1 A0 A10  
VSS  
VCC  
D14  
D15  
NC  
NC  
NC  
A14  
A12  
A9  
A7  
D3  
VCC  
VSS  
D6  
VCC  
VSS  
NC  
A15  
A13  
A10  
D4  
D5  
G
H
WE  
A11  
D7  
A8  
NC  
48-ball BGA top view  
Brilliance Semiconductor, Inc. reserves the right to change products and specifications without notice.  
R0201-BS616UV1010  
Revision 2.6  
May. 2006  
1
1234567...11

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与BS616UV1010EC10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BS616UV1010EC15 BSI

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 		Standard SRAM, 64KX16, 150ns, CMOS, PDSO44
BS616UV1010ECC-10 BSI

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