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BS616UV1010EC15

更新时间： 2024-11-14 04:14:11
品牌 Logo 应用领域
BSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 259K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 150ns, CMOS, PDSO44

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BS616UV1010EC15 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：TSOP, TSOP44,.46,32
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.92
最长访问时间：150 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
端子数量：44字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：2/3.3 V
认证状态：Not Qualified最小待机电流：1.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.015 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BS616UV1010EC15 数据手册

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Ultra Low Power/Voltage CMOS SRAM  
64K X 16 bit  
BSI  
BS616UV1010  
„ DESCRIPTION  
„ FEATURES  
The BS616UV1010 is a high performance, ultra low power CMOS Static  
Random Access Memory organized as 65,536 words by 16 bits and  
operates from a wide range of 1.8V to 3.6V supply voltage.  
• Ultra low operation voltage : 1.8 ~ 3.6V  
• Ultra low power consumption :  
Vcc = 2.0V  
C-grade : 10mA (Max.) operating current  
Advanced CMOS technology and circuit techniques provide both high  
speed and low power features with a typical CMOS standby current  
of 0.01uA and maximum access time of 150ns in 2V operation.  
Easy memory expansion is provided by an active LOW chip enable  
(CE) and active LOW output enable(OE) and three-state output drivers.  
The BS616UV1010 has an automatic power down feature, reducing the  
power consumption significantly when chip is deselected.  
I- grade : 15mA (Max.) operating current  
0.01uA (Typ.) CMOS standby current  
C-grade : 15mA (Max.) operating current  
I- grade : 20mA (Max.) operating current  
0.02uA (Typ.) CMOS standby current  
Vcc = 3.0V  
• High speed access time :  
-15  
150ns (Max.) at Vcc = 3.0V  
The BS616UV1010 is available in the JEDEC standard 44-pin TSOP  
Type II and 48-pin mini-BGA.  
• Input levels are CMOS-compatible  
• Automatic power down when chip is deselected  
• Three state outputs and TTL compatible  
• Fully static operation  
• Data retention supply voltage as low as 1.5V  
• Easy expansion with CE and OE options  
• I/O Configuration x8/x16 selectable by LB and UB pin  
„ PRODUCT FAMILY  
POWER DISSIPATION  
SPEED  
(ns)  
STANDBY  
Operating  
PRODUCT  
FAMILY  
OPERATING  
TEMPERATURE  
Vcc  
RANGE  
PKG TYPE  
(ICCSB1, Max)  
(ICC, Max)  
Vcc=3.0V  
150  
Vcc=3.0V  
Vcc=2.0V  
0.3uA  
Vcc=3.0V  
Vcc=2.0V  
10mA  
BS616UV1010EC  
BS616UV1010AC  
TSOP2-44  
+0O C to +70O  
-40 O C to +85O  
C
C
1.8V ~ 3.6V  
1.8V ~ 3.6V  
0.5uA  
1.5uA  
15mA  
20mA  
BGA-48-0608  
BS616UV1010EI  
BS616UV1010AI  
TSOP2-44  
150  
1uA  
15mA  
BGA-48-0608  
„ PIN CONFIGURATIONS  
„ BLOCK DIAGRAM  
1
2
3
4
5
6
7
8
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
CE  
DQ0  
DQ1  
A5  
A6  
A7  
OE  
UB  
LB  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
GND  
VCC  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ8  
NC  
A8  
A13  
Address  
A15  
18  
512  
9
10  
11  
DQ2  
DQ3  
VCC  
A14  
A12  
A7  
Input  
Row  
BS616UV1010EC  
Memory Array  
512 x 2048  
12  
BS616UV1010EI  
GND  
Buffer  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
Decoder  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
WE  
A15  
A14  
A13  
A6  
A5  
A4  
A8  
A9  
A10  
A11  
2048  
Data  
Input  
16  
16  
16  
Column I/O  
21  
22  
A12  
NC  
DQ0  
NC  
Buffer  
.
.
.
.
.
.
.
.
Write Driver  
Sense Amp  
1
2
3
4
5
6
128  
Data  
Output  
16  
A
B
C
D
E
F
LB  
OE  
UB  
A0  
A3  
A1  
A4  
A2  
NC  
IO0  
IO2  
VCC  
VSS  
IO6  
IO7  
NC  
Buffer  
Column Decoder  
DQ15  
IO8  
CE  
14  
CE  
WE  
OE  
UB  
IO9  
IO10  
IO11  
IO12  
IO13  
NC  
A5  
A6  
IO1  
IO3  
IO4  
IO5  
WE  
A11  
Control  
Address Input Buffer  
VSS  
VCC  
IO14  
IO15  
NC  
NC  
NC  
A14  
A12  
A9  
A7  
LB  
A11 A9 A3 A2 A1  
A0 A10  
NC  
A15  
A13  
A10  
Vcc  
Gnd  
G
H
A8  
Brilliance Semiconductor, Inc. reserves the right to modify document contents without notice.  
Revision 2.3  
R0201-BS616UV1010  
1
Jan.  
2004  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BS616UV1010ECC-10 BSI

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 		SRAM
BS616UV1010ECCG10 BSI

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 		SRAM
BS616UV1010ECCP10 BSI

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 		SRAM
BS616UV1010ECG10 BSI

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 		Ultra Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit
BS616UV1010ECG15 BSI

获取价格

 		Standard SRAM, 64KX16, 150ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
BS616UV1010ECI-10 BSI

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