是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP2, TSOP44,.46,32 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.83 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
长度: | 18.41 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.0000025 A | 最小待机电流: | 1.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.061 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.4 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS616LV8017EI | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017EI55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017EI-55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017EI70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017EI-70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017EIG55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017EIG70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017EIP55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017EIP70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017FC | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit |