是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TSOP, TSOP44,.46,32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 端子数量: | 44 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP | 封装等效代码: | TSOP44,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.0000025 A |
最小待机电流: | 1.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.076 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS616LV8017EC-55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017EC70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017EC-70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017ECG55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017ECG70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017ECP55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017ECP70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017EI | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017EI55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit | |
BS616LV8017EI-55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit |