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BS616LV1613FI70

更新时间： 2024-11-29 18:52:39
品牌 Logo 应用领域
BSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 255K
描述
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48

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BS616LV1613FI70 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FBGA, BGA48,6X8,30Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e0内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3端子数量：48
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：FBGA封装等效代码：BGA48,6X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified最小待机电流：1.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.037 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

BS616LV1613FI70 数据手册

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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM  
1M X 16 bit  
(Dual CE Pins)  
BSI  
BS616LV1613  
„ FEATURES  
„ DESCRIPTION  
The BS616LV1613 is a high performance, very low power CMOS Static  
Random Access Memory organized as 1,048,576 words by 16 bits and  
operates from a range of 2.7V to 3.6V supply voltage.  
Advanced CMOS technology and circuit techniques provide both high  
speed and low power features with a typical CMOS standby current  
of 3.0uA at 3.0V/25oC and maximum access time of 55ns at 3.0V/85oC.  
Easy memory expansion is provided by an active LOW chip enable(CE1)  
, active HIGH chip enable (CE2), active LOW output enable(OE) and  
three-state output drivers.  
• Vcc operation voltage : 2.7~3.6V  
• Very low power consumption :  
Vcc = 3.0V C-grade: 45mA (@55ns) operating current  
I -grade: 46mA (@55ns) operating current  
C-grade: 36mA (@70ns) operating current  
I -grade: 37mA (@70ns) operating current  
3.0uA (Typ.) CMOS standby current  
• High speed access time :  
-55  
-70  
55ns  
70ns  
The BS616LV1613 has an automatic power down feature, reducing the  
power consumption significantly when chip is deselected.  
The BS616LV1613 is available in 48-pin BGA package.  
• Automatic power down when chip is deselected  
• Three state outputs and TTL compatible  
• Fully static operation  
• Data retention supply voltage as low as 1.5V  
• Easy expansion with CE2,CE1 and OE options  
• I/O Configuration x8/x16 selectable by LB and UB pin  
„ PRODUCT FAMILY  
POWER DISSIPATION  
SPEED  
(ns)  
STANDBY  
Operating  
OPERATING  
TEMPERATURE  
Vcc  
RANGE  
(ICCSB1, Max)  
(ICC, Max)  
PRODUCT FAMILY  
PKG TYPE  
55ns : 3.0~3.6V  
70ns : 2.7~3.6V  
Vcc=3V  
Vcc=3V  
70ns  
Vcc=3V  
10 uA  
55ns  
BS616LV1613FC  
BS616LV1613FI  
+0 O C to +70O  
-40O C to +85O  
C
C
2.7V ~ 3.6V  
2.7V ~ 3.6V  
55 / 70  
55 / 70  
45mA  
36mA  
37mA  
BGA-48-0912  
BGA-48-0912  
20  
uA  
46mA  
„ PIN CONFIGURATIONS  
„ BLOCK DIAGRAM  
A4  
A3  
A2  
1
2
3
4
5
6
A1  
A0  
Address  
Input  
A
B
C
D
LB  
OE  
A0  
A1  
A2  
CE2  
22  
2048  
A17  
A16  
Row  
Memory Array  
2048 x 8192  
Buffer  
D8  
D9  
UB  
A3  
A5  
A4  
A6  
CE1  
D1  
D0  
D2  
A15  
A14  
A13  
A12  
Decoder  
D10  
8192  
Data  
Input  
Buffer  
16  
16  
Column I/O  
D0  
VSS D11  
VCC D12  
A17  
A7  
D3  
D4  
VCC  
.
.
.
.
.
.
.
.
Write Driver  
Sense Amp  
16  
512  
A16  
A15  
A13  
A10  
Data  
Output  
Buffer  
NC  
VSS  
D6  
E
F
16  
Column Decoder  
D15  
D5  
D14  
D15  
A18  
D13  
A14  
CE2  
18  
CE1  
WE  
OE  
WE  
A11  
D7  
A12  
A9  
G
H
A.19  
A8  
Control  
Address Input Buffer  
UB  
LB  
A11 A10 A9 A8 A7  
A6 A5A18 A19  
NC  
Vcc  
Vss  
48-Ball CSP top View  
Brilliance Semiconductor, Inc. reserves the right to modify document contents without notice.  
Revision 1.1  
R0201-BS616LV1613  
1
Jan.  
2004  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BS616LV1613FI-70 BSI

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 		Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit
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