是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | LFBGA, BGA48,6X8,30 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 55 ns | 备用内存宽度: | 8 |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
长度: | 12 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.4 mm |
最小待机电流: | 1.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.115 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS616LV1615FIG70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit | |
BS616LV1615FIP55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit | |
BS616LV1615FIP70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit | |
BS616LV1622 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable | |
BS616LV1622TC | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable | |
BS616LV1622TC55 | BSI |
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Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PDSO48 | |
BS616LV1622TC-55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable | |
BS616LV1622TC70 | BSI |
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Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO48 | |
BS616LV1622TC-70 | BSI |
获取价格 |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable | |
BS616LV1622TCG55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable |