是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FBGA, BGA48,6X8,30 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | FBGA | 封装等效代码: | BGA48,6X8,30 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最小待机电流: | 1.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.092 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS616LV1615FI-70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit | |
BS616LV1615FIG55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit | |
BS616LV1615FIG70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit | |
BS616LV1615FIP55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit | |
BS616LV1615FIP70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit | |
BS616LV1622 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable | |
BS616LV1622TC | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable | |
BS616LV1622TC55 | BSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PDSO48 | |
BS616LV1622TC-55 | BSI |
获取价格 |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable | |
BS616LV1622TC70 | BSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO48 |