BS170RLRE

更新时间： 2024-11-06 13:05:59

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摩托罗拉 - MOTOROLA		开关
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4页	81K
描述
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

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BS170RLRE 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.18
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.5 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BS170RLRE 数据手册

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by BS170/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

N–Channel — Enhancement

1 DRAIN

GATE

3 SOURCE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain–Source Voltage

Vdc

CASE 29–04, STYLE 30

TO–92 (TO–226AA)

Gate–Source Voltage

— Continuous

— Non–repetitive (t ≤ 50 µs)

±20

±40

Vdc

Vpk

GSM

(1)

Drain Current

0.5

Adc

°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

350

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

stg

–55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Gate Reverse Current

—

0.01

—

nAdc

Vdc

GSS

= 15 Vdc, V

= 0)

Drain–Source Breakdown Voltage

(V = 0, I = 100 µAdc)

(BR)DSS

(2)

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

0.8

—

2.0

1.8

—

3.0

5.0

0.5

—

Vdc

Ω

GS(Th)

= V , I = 1.0 mAdc)

Static Drain–Source On Resistance

(V = 10 Vdc, I = 200 mAdc)

DS(on)

Drain Cutoff Current

(V = 25 Vdc, V

µA

D(off)

= 0 Vdc)

Forward Transconductance

(V = 10 Vdc, I = 250 mAdc)

200

mmhos

SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS

Input Capacitance

—

iss

= 10 Vdc, V

= 0, f = 1.0 MHz)

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn–On Time

(I = 0.2 Adc) See Figure 1

—

4.0

Turn–Off Time

(I = 0.2 Adc) See Figure 1

off

1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current.

2. Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.

REV 1

M_Mot_oo_tor_ro_ol_la_a,S_Inm_c.a₁₉ll₉–₇Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4

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与BS170RLRE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BS170RLRF	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170RLRM	ONSEMI	获取价格	Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET
BS170RLRMG	ONSEMI	获取价格	Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N−Channel TO−92 (TO−226)
BS170RLRP	ONSEMI	获取价格	Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET
BS170RLRP	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170RLRPG	ONSEMI	获取价格	Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N−Channel TO−92 (TO−226)
BS170-S00Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
BS170T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 500MA I(D) \| TO-92
BS170TA	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
BS170-TA	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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