BS170RLRPG

更新时间： 2024-11-06 06:44:19

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	58K
描述
Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N−Channel TO−92 (TO−226)

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BS170RLRPG 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A
最大漏极电流 (ID)：	0.5 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-226AA
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BS170RLRPG 数据手册

BS170

Preferred Device

Small Signal MOSFET

500 mA, 60 Volts

N−Channel TO−92 (TO−226)

Features

http://onsemi.com

• Pb−Free Package is Available*

500 mA, 60 Volts

R_DS(on)= 5.0 W

MAXIMUM RATINGS

Rating

Drain−Source Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

N−Channel

Gate−Source Voltage

− Continuous

GSM

Vdc

Vpk

− Non−repetitive (t ≤ 50 ms)

Drain Current (Note)

0.5

Adc

°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

350

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

−55 to

+150

stg

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are

exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and

reliability may be affected.

TO−92 (TO−226)

CASE 29

NOTE: The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous

drain current.

STYLE 30

MARKING DIAGRAM

& PIN ASSIGNMENT

BS170

AYWWG

Drain Gate Source

BS170 = Device Code

= Assembly Location

= Year

= Work Week

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 2 of this data sheet.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Publication Order Number:

August, 2005 − Rev. 5

BS170/D

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BS170-S00Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
BS170T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 500MA I(D) \| TO-92
BS170TA	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
BS170-TA	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170TR1	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
BS170-TR1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170TR2	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
BS170TR3	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
BS170TR4	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
BS170ZL1	ONSEMI	获取价格	Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET

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