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BR93H56RFJ-WCE2

更新时间： 2024-11-09 03:32:55
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
30页 938K
描述
EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8

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BR93H56RFJ-WCE2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SOP-8Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：1.55
其他特性：SEATED HT-CALCULATED最大时钟频率 (fCLK)：1.25 MHz
数据保留时间-最小值：40耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G8长度：4.9 mm
内存密度：2048 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：8字数：128 words
字数代码：128工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128X16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2/5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：1.65 mm
串行总线类型：3-WIRE最大待机电流：0.000002 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.0015 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：4 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3.9 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
写保护：SOFTWARE

BR93H56RFJ-WCE2 数据手册

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Datasheet  
Serial EEPROM Series Automotive EEPROM  
125℃ Operation Microwire BUS EEPROM(3-Wire)  
BR93Hxx-WC  
(2K 4K 8K 16K)  
●General Description  
BR93Hxx-WC is a serial EEPROM of serial 3-line interface method.  
●Features  
●Packages W(Typ.) x D(Typ.) x H(Max.)  
„ Conforming to Microwire BUS  
„ Withstands electrostatic voltage 8kV,  
(HBM method typ.,except BR93H66RFVM-WC)  
„ Wide temperature range -40℃ to +125℃  
„ Same package line up and same pin configuration  
„ 2.7V to 5.5V single supply voltage operation  
„ Address auto increment function at read operation  
„ Write mistake prevention function  
¾
¾
¾
Write prohibition at power on  
Write prohibition by command code  
Write mistake prevention circuit at low voltage  
SOP-J8  
4.90mm x 6.00mm x 1.65mm  
SOP8  
5.00mm x 6.20mm x 1.71mm  
„ Program cycle auto delete and auto end function  
„ Program condition display by READY / BUSY  
„ Low current consumption  
¾
¾
¾
At write operation (at 5V)  
At read operation (at 5V)  
At standby condition (at 5V) : 0.1μA(Typ.)(CMOS input)  
: 0.6mA (Typ.)  
: 0.6mA (Typ.)  
MSOP8  
„ Built-in noise filter CS, SK, DI terminals  
„ High reliability by ROHM original Double-Cell structure  
„ Data retention for 20 years (Ta≦125℃)  
„ Endurance up to 300,000 times (Ta≦125℃)  
„ Data at shipment all address FFFFh  
„ AEC-Q100 Qualified  
2.90mm x 4.00mm x 0.90mm  
●BR93Hxx-WC  
Package type  
SOP8  
RF  
SOP-J8  
MSOP8  
RFVM  
Power source  
voltage  
Capacity  
Bit format  
Type  
RFJ  
2Kbit  
4Kbit  
8Kbit  
16Kbit  
128×16  
256×16  
512×16  
1K×16  
BR93H56-WC  
BR93H66-WC  
BR93H76-WC  
BR93H86-WC  
2.7V to 5.5V  
2.7V to 5.5V  
2.7V to 5.5V  
2.7V to 5.5V  
●
●
●
●
●
●
●
●
●
○Product structure：Silicon monolithic integrated circuit ○This product is not designed protection against radioactive rays  
www.rohm.com  
TSZ02201-0R1R0G100160-1-2  
6.Nov.2013 Rev.002  
©2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/27  
TSZ22111･14･001  
1234567...30

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与BR93H56RFJ-WCE2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BR93H56RFJ-WE1 ROHM

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 		EEPROM Card, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8
BR93H56RFJ-WE2 ROHM

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 		High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS
BR93H56RF-LE2 ROHM

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 		High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series
BR93H56RFVJ-WE2 ROHM

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 		High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series
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 		BR93H56-2C是串行3线式接口方式的串行EEPROM。
BR93H56RFVM-2CE2 ROHM

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 		Serial EEPROM Series Automotive EEPROM 125 Operation Microwire BUS EEPROM

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