5秒后页面跳转
BR93A66RFJ-WE1 PDF预览

BR93A66RFJ-WE1

更新时间: 2024-11-10 03:47:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 254K
描述
EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8

BR93A66RFJ-WE1 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.47
Is Samacsys:N数据保留时间-最小值:40
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:16
湿度敏感等级:1端子数量:8
字数:256 words字数代码:256
最高工作温度:105 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256X16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:3/5 V认证状态:Not Qualified
串行总线类型:MICROWIRE最大待机电流:0.000002 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.0045 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
写保护:SOFTWAREBase Number Matches:1

BR93A66RFJ-WE1 数据手册

 浏览型号BR93A66RFJ-WE1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BR93A66RFJ-WE1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BR93A66RFJ-WE1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BR93A66RFJ-WE1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BR93A66RFJ-WE1的Datasheet PDF文件第6页 

与BR93A66RFJ-WE1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BR93A66RFJ-WE2 ROHM

获取价格

High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS
BR93A66RFJ-WM ROHM

获取价格

EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
BR93A66RF-LE2 ROHM

获取价格

High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series
BR93A66RFVJ-WE2 ROHM

获取价格

High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series
BR93A66RFVM-WE2 ROHM

获取价格

High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series
BR93A66RFVM-WM ROHM

获取价格

串行EEPROM(Electrically Erasable Programmable R
BR93A66RFVM-WMTR ROHM

获取价格

EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, MSOP-8
BR93A66RFVT-WE2 ROHM

获取价格

High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series
BR93A66RFVT-WM ROHM

获取价格

串行EEPROM(Electrically Erasable Programmable R
BR93A66RFVT-WME2 ROHM

获取价格

EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, TSOP-8