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BR93A66RFVM-WMTR

更新时间： 2024-09-18 13:05:59

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罗姆 - ROHM		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数	文件大小	规格书
6页	255K
描述
EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, MSOP-8

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BR93A66RFVM-WMTR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	MSOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	10 weeks	风险等级：	5.72
最大时钟频率 (fCLK)：	2 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	2.9 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	256 words	字数代码：	256
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256X16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.16	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	AEC-Q100
座面最大高度：	0.9 mm	串行总线类型：	3-WIRE
最大待机电流：	0.000002 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.0045 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	4 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	2.8 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	SOFTWARE
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR93A66RFVT-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series
BR93A66RFVT-WM	ROHM	获取价格	串行EEPROM（Electrically Erasable Programmable R
BR93A66RFVT-WME2	ROHM	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, TSOP-8
BR93A66RFV-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series
BR93A66RF-W	ROHM	获取价格	Microwire BUS 4Kbit(256 x 16bit) EEPROM
BR93A66RF-WE1	ROHM	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8
BR93A66RF-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS
BR93A66RF-WME2	ROHM	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
BR93A66-W	ROHM	获取价格	Microwire BUS 4Kbit(256 x 16bit) EEPROM
BR93A66-WM	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS