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BR93A66RFVT-WM

更新时间： 2024-09-19 11:07:43

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罗姆 - ROHM		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟电池光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
6页	254K
描述
串行EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）是非易失性存储器，在电路板上可以进行电擦写。擦写时也可以以字节（byte）为单位进行擦写，这样适合用来存储数据。ROHM的串行EEPROM是具有高可靠性的高级产品系列。ROHM的串行EEPROM按照世界高水平为用户准备了多种容量、接口和封装形式，在世界上具有较高的市场占有率。ROHM的串行EEPROM配置有世界标准的总线形式（Microwire、I²C、SPI），而且工作电源电压范围宽（1.8 ～ 5.5V、2.5 ～ 5.5V），还适合采用电池供电。整个系列均是无铅产品，符合RoHS指令。

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BR93A66RFVT-WM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	最大时钟频率 (fCLK)：	2 MHz
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	4.4 mm
内存密度：	4096 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	256 words
字数代码：	256	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	105 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256X16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	座面最大高度：	1.2 mm
串行总线类型：	MICROWIRE	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR93A66RFVT-WME2	ROHM	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, TSOP-8
BR93A66RFV-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series
BR93A66RF-W	ROHM	获取价格	Microwire BUS 4Kbit(256 x 16bit) EEPROM
BR93A66RF-WE1	ROHM	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8
BR93A66RF-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS
BR93A66RF-WME2	ROHM	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
BR93A66-W	ROHM	获取价格	Microwire BUS 4Kbit(256 x 16bit) EEPROM
BR93A66-WM	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS
BR93A76FJ-W	ROHM	获取价格	Microwire BUS 8Kbit(512 X 16bit) EEPROM
BR93A76FJ-WE1	ROHM	获取价格	EEPROM, 512X16, Serial, CMOS, PDSO8