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BR93A66RF-W

更新时间: 2024-09-17 23:13:35
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罗姆 - ROHM 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
6页 255K
描述
Microwire BUS 4Kbit(256 x 16bit) EEPROM

BR93A66RF-W 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:LEAD FREE, SOP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.4
Is Samacsys:N最大时钟频率 (fCLK):1.25 MHz
数据保留时间-最小值:40耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8长度:5 mm
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:8字数:256 words
字数代码:256工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256X16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LSOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm串行总线类型:MICROWIRE
最大待机电流:0.000002 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.0045 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):4 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 ms写保护:SOFTWARE
Base Number Matches:1

BR93A66RF-W 数据手册

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