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BR24L01AFVJ-WE2

更新时间： 2024-09-17 14:37:39
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
39页 724K
描述
EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8

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BR24L01AFVJ-WE2 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：TSSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.51
Is Samacsys：N最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz
数据保留时间-最小值：40耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：1010DDDRJESD-30 代码：S-PDSO-G8
JESD-609代码：e2长度：3 mm
内存密度：1024 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：128 words
字数代码：128工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP8,.19
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.1 mm串行总线类型：I2C
最大待机电流：0.000002 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.002 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN COPPER
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
宽度：3 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
写保护：HARDWAREBase Number Matches：1

BR24L01AFVJ-WE2 数据手册

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Datasheet  
Serial EEPROM Series Standard EEPROM  
I2C BUS EEPROM (2-Wire)  
BR24Lxxx-W Series  
(1K 2K 4K 8K 16K 32K 64K)  
●General Description  
BR24Lxxx-W series is a serial EEPROM of I2C BUS interface method  
●Features  
●Packages W(Typ.) x D(Typ.) x H(Max.)  
„ Completely conforming to the world standard I2C  
BUS.  
All controls available by 2 ports of serial clock  
(SCL) and serial data (SDA)  
„ Other devices than EEPROM can be connected to  
the same port, saving microcontroller port  
„ 1.8V to 5.5V *1 single power source action most  
suitable for battery use  
TSSOP-B8  
3.00mm x 6.40mm x 1.20mm  
SOP8  
5.00mm x 6.20mm x 1.71mm  
„ Page write mode useful for initial value write at  
factory shipment  
„ Highly reliable connection by Au pad and Au wire  
„ Auto erase and auto end function at data write  
„ Low current consumption  
SOP- J8  
4.90mm x 6.00mm x 1.65mm  
TSSOP-B8J  
3.00mm x 4.90mm x 1.10mm  
¾
¾
¾
At write operation (5V)  
At read operation (5V)  
At standby operation (5V) : 0.1μA (Typ.)  
: 1.2mA (Typ.) *2  
: 0.2mA (Typ.)  
„ Write mistake prevention function  
Write (write protect) function added  
¾
SSOP-B8  
3.00mm x 6.40mm x 1.35mm  
„ Write mistake prevention function at low voltage  
„ Data rewrite up to 1,000,000 times  
„ Data kept for 40 years  
MSOP8  
2.90mm x 4.00mm x 0.90mm  
„ Noise filter built in SCL / SDA terminal  
„ Shipment data all address FFh  
*1 BR24L02-W, BR24L16-W, BR24L32-W : 1.7V to 5.5V  
*2 BR24L32-W, BR24L64-W : 1.5mA  
VSON008X2030  
2.00mm x 3.00mm x 0.60mm  
●Page write  
Number of  
Pages  
8Byte  
16Byte  
32Byte  
BR24L04-W  
BR24L08-W  
BR24L16-W  
Product  
number  
BR24L01A-W  
BR24L02-W  
BR24L32-W  
BR24L64-W  
●BR24Lxxx-W Series  
Bit  
Capacity  
Power source  
Voltage  
VSON008  
X2030  
Type  
SOP8  
SOP-J8 SSOP-B8 TSSOP-B8 MSOP8 TSSOP-B8J  
format  
1Kbit  
2Kbit  
4Kbit  
8Kbit  
128×8 BR24L01A-W 1.8V to 5.5V  
256×8 BR24L02-W 1.7V to 5.5V  
512×8 BR24L04-W 1.8V to 5.5V  
1K×8 BR24L08-W 1.8V to 5.5V  
●
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16Kbit 2K×8 BR24L16-W 1.7V to 5.5V  
32Kbit 4K×8 BR24L32-W 1.7V to 5.5V  
64Kbit 8K×8 BR24L64-W 1.8V to 5.5V  
○Product structure：Silicon monolithic integrated circuit ○This product is not designed protection against radioactive rays  
www.rohm.com  
TSZ02201-0R2R0G100290-1-2  
21.AUG.2012 Rev.001  
©2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/36  
TSZ22111･14･001  
1234567...39

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BR24L01AFVJ-WTR ROHM

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 		EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
BR24L01AFVM-W ROHM

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 		128】8 bit electrically erasable PROM
BR24L01AFVM-WE2 ROHM

获取价格

 		EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, MSOP-8
BR24L01AFVM-WTL ROHM

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 		EEPROM Card, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8,
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