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BR24L01AFV-WE1

更新时间: 2024-09-17 15:45:39
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罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
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6页 315K
描述
EEPROM Card, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8,

BR24L01AFV-WE1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:TSSOP, TSSOP8,.25
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.53
数据保留时间-最小值:40耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节:1010DDDRJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e2内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:EEPROM CARD内存宽度:8
端子数量:8字数:128 words
字数代码:128最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128X8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:2/5 V
编程电压:2.7 V认证状态:Not Qualified
串行总线类型:I2C最大待机电流:0.000002 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.002 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式:GULL WING端子节距:0.635 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
写保护:HARDWAREBase Number Matches:1

BR24L01AFV-WE1 数据手册

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