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BR24L01A-W

更新时间： 2024-09-16 22:39:39

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罗姆 - ROHM		存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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128】8 bit electrically erasable PROM

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BR24L01A-W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP8,.3	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	8.48
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010DDDR
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	JESD-609代码：	e3/e2
长度：	9.3 mm	内存密度：	1024 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	128 words	字数代码：	128
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.7 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN/TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

BR24L01A-W 数据手册

BR24L01A-W / BR24L01AF-W / BR24L01AFJ-W /

BR24L01AFV-W / BR24L01AFVM-W

Memory ICs

128×8 bit electrically erasable PROM

BR24L01A-W / BR24L01AF-W / BR24L01AFJ-W

BR24L01AFV-W / BR24L01AFVM-W

The BR24L01A-W series is 2-wire (I²C BUS type) serial EEPROMs which are electrically programmable.

I²C BUS is a registered trademark of Philips.

zApplications

General purpose

zFeatures

1) 128 registers × 8 bits serial architecture.

2) Single power supply (1.8V to 5.5V).

3) Two wire serial interface.

4) Self-timed write cycle with automatic erase.

5) 8 byte page write mode.

6) Low power consumption.

Write (5V) : 1.2mA (Typ.)

Read (5V) : 0.2mA (Typ.)

Standby (5V) : 0.1µA (Typ.)

7) DATA security

Write protect feature (WP pin) .

Inhibit to WRITE at low VCC.

8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8

9) High reliability EEPROM with Double-Cell Structure

10) High reliability fine pattern CMOS technology.

11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles

12) Data retention : 40 years

13) Filtered inputs in SCL^•SDA for noise suppression.

14) Initial data FFh in all address.

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Supply voltage

Symbol

Limits

Unit

VCC

−0.3 to +6.5

800 (DIP8)

450 (SOP8)

Power dissipation

450 (SOP-J8)

300 (SSOP-B8)

310 (MSOP8)

−65 to +125

Storage temperature

Operating temperature

Terminal voltage

Tstg

Topr

−

°C

−40 to +85

−0.3 to VCC+0.3

Degradation is done at 8.0mW/°C for operation above 25°C.

2, 3 Degradation is done at 4.5mW/°C for operation above 25°C.

Degradation is done at 3.0mW/°C for operation above 25°C.

Degradation is done at 3.1mW/°C for operation above 25°C.

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BR24L01A-W 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
24AA014H-I/P	MICROCHIP	功能相似	1K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-P

与BR24L01A-W相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR24L01A-W_07	ROHM	获取价格	I2C BUS Serial EEPROMs
BR24L01A-W_09	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L01F	ETC	获取价格	EEPROM
BR24L01FJ	ETC	获取价格	EEPROM
BR24L01FJ-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L01FJ-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L01FV	ETC	获取价格	EEPROM
BR24L01FVJ-W	ROHM	获取价格	EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
BR24L01FVJ-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L01FVJ-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS

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