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BR211-280

更新时间: 2024-02-11 18:48:13
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管击穿二极管
页数 文件大小 规格书
7页 35K
描述
Breakover diodes

BR211-280 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.86最大转折电压:314 V
最大维持电流:150 mAJESD-609代码:e0
最大通态电压:2.5 V最高工作温度:70 °C
重复峰值反向电压:246 V子类别:Silicon Surge Protectors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型:SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches:1

BR211-280 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Breakover diodes  
BR211 series  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm  
5
max  
0.81  
max  
3.15  
max  
4.3  
max  
28  
min  
28  
min  
Fig.13. SOD84.  
August 1996  
6
Rev 1.200  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BR211-280T/R ETC SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|314V V(BO) MAX|1A I(S)|SOD-84

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