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Datasheet > 触发装置 > 击穿二极管> BR211SM-240
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BR211SM-240

更新时间： 2024-02-11 08:31:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 触发装置二极管击穿二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 34K
描述
Breakover diodes

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BR211SM-240 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.73最大转折电压：240 V
最小转折电压：211 V配置：SINGLE
标称维持电流：150 mAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：40 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：70 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
子类别：Silicon Surge Protectors表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
触发设备类型：SYMMETRICAL BODBase Number Matches：1

BR211SM-240 数据手册

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Philips Semiconductors  
Preliminary specification  
Breakover diodes  
BR211SM series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
A range of bidirectional, breakover  
diodes in a two terminal, surface  
mounting, plastic envelope. These  
devices feature controlled breakover  
voltage and high holding current  
together with high peak current  
SYMBOL  
PARAMETER  
MIN.  
MAX. UNIT  
BR211SM-140 to BR211SM-280  
Breakover voltage  
Holding current  
Non-repetitive peak current  
V(BO)  
IH  
ITSM  
140  
150  
-
280  
-
V
mA  
A
40  
handling  
capability.  
Typical  
application is transient overvoltage  
protection in telecommunications  
equipment.  
OUTLINE - SOD106  
SYMBOL  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VD  
Continuous voltage  
Non repetitive peak current  
-
75% of  
V(BO)typ  
40  
V
ITSM1  
10/320 µs impulse equivalent to  
10/700 µs, 1.6 kV voltage impulse  
(CCITT K17)  
-
A
ITSM2  
Non repetitive on-state current half sine wave; t = 10 ms;  
Tj = 70 ˚C prior to surge  
-
15  
A
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
tp = 10 ms  
-
-
1.1  
50  
A2s  
A/µs  
Rate of rise of on-state current tp = 10 µs  
after V(BO) turn-on  
Ptot  
PTM  
Tstg  
Ta  
Continuous dissipation  
Peak dissipation  
Ta = 25˚C  
tp = 1 ms; Ta = 25˚C  
-
-
1.2  
50  
W
W
˚C  
˚C  
˚C  
Storage temperature  
- 40  
150  
70  
Operating ambient temperature off-state  
Overload junction temperature on-state  
-
-
Tvj  
150  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-sp  
Rth j-a  
Zth j-a  
Thermal resistance junction to  
solder point  
-
-
-
-
12  
K/W  
K/W  
K/W  
Thermal resistance junction to pcb mounted; minimum footprint  
100  
2.62  
-
ambient  
Thermal impedance junction to tp = 1 ms  
ambient  
-
August 1996  
1
Rev 1.100  
123456

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