BR211-280

更新时间： 2024-02-03 04:37:38

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恩智浦 - NXP		二极管击穿二极管
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7页	35K
描述
Breakover diodes

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BR211-280 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.86	最大转折电压：	314 V
最大维持电流：	150 mA	JESD-609代码：	e0
最大通态电压：	2.5 V	最高工作温度：	70 °C
重复峰值反向电压：	246 V	子类别：	Silicon Surge Protectors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR	Base Number Matches：	1

BR211-280 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Breakover diodes

BR211 series

DYNAMIC CHARACTERISTICS

T_j= 25 ˚C unless otherwise stated

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. TYP. MAX. UNIT

dV_D/dt

Linear rate of rise of off-state

voltage that will not trigger any

device

V_(DM)= 85% V_(BR)min; T_j= 70 ˚C

2000 V/µs

C_j

Off-state capacitance

V_D= 0 V; f = 1 kHz to 1 MHz

100

BR211

ITSM / A

current

ITSM2

time

V(BR)

I(BR)

V(BO)

voltage

Symbol

Symmetric BOD

100

1000

10000

Number of impulses

Fig.1. Definition of breakover diode characteristics.

Fig.3. Maximum permissible non-repetitive on-state

current based on sinusoidal currents; f = 50 Hz;

device triggered at the start of each pulse; T_j= 70˚C

prior to surge.

V(BR)(Tj)

V(BR)(25 C)

current

1.06

ITSM

100%

90%

1.04

1.02

1.00

0.98

0.96

0.94

0.92

0.90

50%

30%

time

-20

Tj / C

100

-40

10us

700us

Fig.2. Test waveform for high voltage impulse (I_TSM1

)

Fig.4. Normalised avalanche breakdown voltage V_(BR)

and V_(BO)as a function of temperature.

according to CCITT vol IX-Rec K17.

August 1996

Rev 1.200

1 234 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR211-280T/R	ETC	获取价格	SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE\|314V V(BO) MAX\|1A I(S)\|SOD-84
BR211SM	NXP	获取价格	Breakover diodes
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