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BR211-280

更新时间: 2024-02-19 14:53:20
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恩智浦 - NXP 二极管击穿二极管
页数 文件大小 规格书
7页 35K
描述
Breakover diodes

BR211-280 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.86最大转折电压:314 V
最大维持电流:150 mAJESD-609代码:e0
最大通态电压:2.5 V最高工作温度:70 °C
重复峰值反向电压:246 V子类别:Silicon Surge Protectors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型:SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches:1

BR211-280 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Breakover diodes  
BR211 series  
junction  
Rth j-e  
50  
envelope  
50  
Rth e-tp  
tie-point  
Rth e-a  
7
2
Rth tp-a  
25  
3
ambient  
Fig.11. Components of thermal resistance,  
Fig.12. Mounting on pcb used for Rth measurement.  
Rthe a.(Rthe tp +Rthtp a)  
Rth j a = Rth j e +  
(Rthe a +Rthe tp +Rthtp a)  
August 1996  
5
Rev 1.200  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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