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BQ4015YMB-85N PDF预览

BQ4015YMB-85N

更新时间： 2024-11-11 20:59:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 368K
描述
512KX8 NON-VOLATILE SRAM, 85ns, DMA32

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BQ4015YMB-85N 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.86
Is Samacsys：N最长访问时间：85 ns
JESD-30 代码：R-PDIP-T32内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM内存宽度：8
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP32,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.005 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.115 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BQ4015YMB-85N 数据手册

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Not Recommended For New Designs  
bq4015/Y/LY  
www.ti.com  
SLUS125B –MAY 1999–REVISED JANUARY 2010  
512 k × 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)  
Check for Samples: bq4015/Y/LY  
The control circuitry constantly monitors the single  
1
FEATURES  
supply for an out-of-tolerance condition. When VCC  
falls out of tolerance, the SRAM is unconditionally  
write-protected to prevent an inadvertent write  
operation.  
•
•
•
•
Data Retention for at least 10 Years Without  
Power  
Automatic Write-Protection During  
Power-up/Power-Down Cycles  
At this time the integral energy source is switched on  
to sustain the memory until after VCC returns valid.  
Conventional SRAM Operation, Including  
Unlimited Write Cycles  
The bq4015/Y/LY uses extremely low standby current  
CMOS SRAMs, coupled with small lithium coin cells  
to provide nonvolatility without long write-cycle times  
and the write-cycle limitations associated with  
EEPROM.  
Internal Isolation of Battery before Power  
Application  
•
•
5-V or 3.3-V Operation  
Industry Standard 32-Pin DIP Package  
The bq4015/Y/LY requires no external circuitry and is  
compatible with the industry-standard 4-Mb SRAM  
pinout.  
GENERAL DESCRIPTION  
The CMOS bq4015/Y/LY is  
a
nonvolatile  
4,194,304-bit static RAM organized as 524,288 words  
by 8 bits. The integral control circuitry and lithium  
energy source provide reliable nonvolatility coupled  
with the unlimited write cycles of standard SRAM.  
PIN CONNECTIONS  
32−Pin DIP Module  
(TOP VIEW)  
A18  
A16  
A14  
A12  
A7  
1
32 VCC  
2
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
A15  
A17  
WE  
A13  
A8  
3
4
5
A6  
6
A5  
A4  
7
A9  
A11  
OE  
A10  
CE  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
8
A3  
A2  
9
10  
11  
12  
A1  
A0  
DQ0 13  
14  
15  
16  
DQ1  
DQ2  
VSS  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 1999–2010, Texas Instruments Incorporated  
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