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BQ4025MA-120

更新时间: 2024-01-07 01:57:38
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 482K
描述
256KX16 NON-VOLATILE SRAM, 120ns, PDIP40

BQ4025MA-120 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP40,.6Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:120 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T40内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM内存宽度:16
端子数量:40字数:262144 words
字数代码:256000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP40,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.005 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.2 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BQ4025MA-120 数据手册

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