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BPX43

更新时间： 2024-11-08 22:27:51

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英飞凌 - INFINEON		晶体光电晶体管光电晶体管静态存储器
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6页	318K
描述
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

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BPX43 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.04
最大暗电源：	300 nA	JESD-609代码：	e0
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	最大通态电流：	0.05 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
峰值波长：	880 nm	子类别：	Photo Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

BPX43 数据手册

BPX 43

NPN-Silizium-Fototransistor

Silicon NPN Phototransistor

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

Wesentliche Merkmale

Features

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 450 nm bis 1100 nm

● Hohe Linearität

● Especially suitable for applications from

450 nm to 1100 nm

● High linearity

● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)

mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C

● Gruppiert lieferbar

● Hermetically sealed metal package (TO-18)

with base connection suitable up to 125 °C

● Available in groups

Anwendungen

Applications

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Industrieelektronik

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

BPX43

Q62702-P16

BPX 43-2

BPX 43-3

BPX 43-4

BPX 43-5

Q62702-P16-S2

Q62702-P16-S3

Q62702-P16-S4

Q 62702-P16-S5

10.95

Semiconductor Group

223

12 3 4 5 6

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