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BPX66

更新时间： 2024-09-14 22:27:51

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管光电二极管
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4页	211K
描述
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode

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BPX66 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.91
JESD-609代码：	e0	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-50 °C
光电设备类型：	PIN PHOTODIODE	最长响应时间：	3e-8 s
最大反向电压：	50 V	半导体材料：	Silicon
子类别：	Photo Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

BPX66 数据手册

BPX 65

BPX 66

Silizium-PIN-Fotodiode

Silicon PIN Photodiode

BPX 65

BPX 66

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 350 nm bis 1100 nm

● Especially suitable for applications from

350 nm to 1100 nm

● BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit

● BPX 66: Sperrstromarm (typ. 150 pA)

● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),

● BPX 65: high photosensitivity

● BPX 66: low reverse current (typ. 150 pA)

● Hermetically sealed metal package (TO-18),

geeignet bis 125 C

suitable up to 125 C

Anwendungen

Applications

● schneller optischer Empfänger mit groβer

● Fast optical sensor of high modulation

Modulationsbandbreite

bandwidth

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

BPX 65

BPX 66

Q62702-P27

Q62702-P80

18 A3 DIN 41870, planes Glasfenster, hermetisch

dichtes Gehäuse, Lötspieβe im 2.54-mm-Raster

( /10”), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuse-

boden

18 A3 DIN 41870, flat glass lens, hermetically

sealed package, solder tabs 2.54 mm ( /10”) lead

spacing, anode marking: projection at package bot-

tom

Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei T > 85 C

For operating conditions of T > 85 C please contact us.

10.95

Semiconductor Group

342

12 3 4

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