BPX80

更新时间： 2024-11-04 22:26:07

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描述
NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays

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BPX80 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	最大暗电源：	200 nA
JESD-609代码：	e0	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
最长响应时间：	0.000008 s	子类别：	Photo Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

BPX80 数据手册

BPX 80

BPX 82 ... 89

NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen

Silicon NPN Phototransistor Arrays

BPX 80

BPX 82 ... 89

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 440 nm bis 1070 nm

● Hohe Linearität

● Especially suitable for applications from

440 nm to 1070 nm

● High linearität

● Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem

Epoxy

● Multiple-digit array package of transparent

epoxy

● Gruppiert lieferbar

● Available in groups

Anwendungen

Applications

● Miniaturlichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Lochstreifenleser

● Miniature photointerrupters

● Punched tape reading

● Industrial electronics

● Industrieelektronik

● For control and drive circuits

● “Messen/Steuern/Regeln”

03.96

Semiconductor Group

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BPX80B	ETC	获取价格	PHOTOTRANSISTOR \| ARRAY \| CLIP
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BPX81	INFINEON	获取价格	NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BPX-81	OSRAM	获取价格	Especially suitable for applications from 450 nm to 1100 nm
BPX81_01	OSRAM	获取价格	NPN-Silizium-Fototransistor
BPX81_16	OSRAM	获取价格	Computer-controlled flashes