BPX48

更新时间： 2024-09-12 22:27:51

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5页	249K
描述
Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode

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BPX48 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	最大暗电源：	200 nA
JESD-609代码：	e0	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
最长响应时间：	5e-7 s	子类别：	Photo Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

BPX48 数据手册

BPX 48

BPX 48 F

Silizium-Differential-Fotodiode

Silicon Differential Photodiode

BPX 48

BPX 48 F

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 48)

und bei 920 nm (BPX 48 F)

● Hohe Fotoempfindlichkeit

● DIL-Plastikbauform mit hoher

Packungsdichte

● Especially suitable for applications from

400 nm to 1100 nm (BPX 48) and of 920 nm

(BPX 48 F)

● High photosensitivity

● DIL plastic package with high packing

density

● Doppeldiode mit extrem hoher

Gleichmäβigkeit

● Double diode with extremely high

homogeneousness

Anwendungen

Application

● Nachlaufsteuerung

● Kantenführungen

● Follow-up control

● Edge control

● Weg- bzw. Winkelabtastungen

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

● Path and angle scanning

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

10.95

Semiconductor Group

348

12 3 4 5

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