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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BGB110 | NXP |
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Bluetooth radio module |
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| BGB201 | NXP |
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Bluetooth System-in-a-Package radio with baseband controller |
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| BGB203 | NXP |
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Bluetooth System-in-a-Package radio with baseband controller |
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| BGB420 | INFINEON |
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Active Biased Transistor |
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| BGB540 | INFINEON |
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Active Biased RF Transistor |
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| BGB540LNA | INFINEON |
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BGB540 as a 1.85 GHz Low Noise Amplifier |
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| BGB540MIRRORBIASEDBFP540 | INFINEON |
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950 ... 2150MHz LNB Front End & IF Path solution |
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| BGB550 | ETC |
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?Biased RF-Trans. in SIEGET45 Technology Icmax = 300mA. SCT595 ? |
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| BGB707L7ESD | INFINEON |
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C Wideband MMIC LNA with Integrated ESD Protection |
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| BGB717L7ESD | INFINEON |
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SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for FM Radio Applications |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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