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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | , | 针数： | 34 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.71 | JESD-30 代码： | R-XXMA-N34 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 34 |
| 最高工作温度： | 50 °C | 最低工作温度： | -10 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称供电电压： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 电信集成电路类型： | TELECOM CIRCUIT | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BGB201 | NXP |
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Bluetooth System-in-a-Package radio with baseband controller |
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| BGB203 | NXP |
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Bluetooth System-in-a-Package radio with baseband controller |
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| BGB420 | INFINEON |
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Active Biased Transistor |
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| BGB540 | INFINEON |
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Active Biased RF Transistor |
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| BGB540LNA | INFINEON |
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BGB540 as a 1.85 GHz Low Noise Amplifier |
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| BGB540MIRRORBIASEDBFP540 | INFINEON |
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950 ... 2150MHz LNB Front End & IF Path solution |
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| BGB550 | ETC |
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?Biased RF-Trans. in SIEGET45 Technology Icmax = 300mA. SCT595 ? |
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| BGB707L7ESD | INFINEON |
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C Wideband MMIC LNA with Integrated ESD Protection |
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| BGB717L7ESD | INFINEON |
获取价格 |
SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for FM Radio Applications |
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| BGB717L7ESDE6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Narrow Band Low Power Amplifier, 76MHz Min, 108MHz Max, 2 X 1.30 MM, 0.40 MM HEIGHT, GREEN |
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