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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | EMITTER | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 3.5 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT IN ACTIVE BIASING ELEMENT |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.12 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BGB540 | INFINEON |
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Active Biased RF Transistor |
|
| BGB540LNA | INFINEON |
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BGB540 as a 1.85 GHz Low Noise Amplifier |
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| BGB540MIRRORBIASEDBFP540 | INFINEON |
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950 ... 2150MHz LNB Front End & IF Path solution |
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| BGB550 | ETC |
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?Biased RF-Trans. in SIEGET45 Technology Icmax = 300mA. SCT595 ? |
|
| BGB707L7ESD | INFINEON |
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C Wideband MMIC LNA with Integrated ESD Protection |
|
| BGB717L7ESD | INFINEON |
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SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for FM Radio Applications |
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| BGB717L7ESDE6327XTSA1 | INFINEON |
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Narrow Band Low Power Amplifier, 76MHz Min, 108MHz Max, 2 X 1.30 MM, 0.40 MM HEIGHT, GREEN |
|
| BGB741L7ESD | INFINEON |
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ESD-Robust and Easy-To-Use Broadband LNA MMIC |
|
| BGB741L7ESDE6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Wide Band Low Power Amplifier, 50MHz Min, 5500MHz Max, 2 X 1.30 MM, 0.40 MM HEIGHT, HALOGE |
|
| BGBL-1/0 | AMPHENOL |
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Ring Terminal |
|
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