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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BGB550 | ETC |
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?Biased RF-Trans. in SIEGET45 Technology Icmax = 300mA. SCT595 ? |
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| BGB707L7ESD | INFINEON |
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C Wideband MMIC LNA with Integrated ESD Protection |
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| BGB717L7ESD | INFINEON |
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SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for FM Radio Applications |
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| BGB717L7ESDE6327XTSA1 | INFINEON |
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Narrow Band Low Power Amplifier, 76MHz Min, 108MHz Max, 2 X 1.30 MM, 0.40 MM HEIGHT, GREEN |
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| BGB741L7ESD | INFINEON |
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ESD-Robust and Easy-To-Use Broadband LNA MMIC |
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| BGB741L7ESDE6327XTSA1 | INFINEON |
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Wide Band Low Power Amplifier, 50MHz Min, 5500MHz Max, 2 X 1.30 MM, 0.40 MM HEIGHT, HALOGE |
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| BGBL-1/0 | AMPHENOL |
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Ring Terminal |
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| BGBL-250 | AMPHENOL |
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Ring Terminal |
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| BGBL-4 | AMPHENOL |
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Ring Terminal |
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| BGC100GN6 | INFINEON |
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BGC100GN6 双向耦合器 IC 专为 2G / 3G / 4G RF 前端应用而设计 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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