Datasheet > BGB550

BGB550

更新时间： 2024-11-23 23:35:23

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管光电二极管信息通信管理放大器
页数	文件大小	规格书
1页	29K
描述
?Biased RF-Trans. in SIEGET45 Technology Icmax = 300mA. SCT595 ?

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BGB550 数据手册

BGB550

Medium power broadband amplifier

MMIC

Bias, 3

C, 4

Features and Benefits

- mirror biased RF transistor

internal circuit

- mirror biased RF transistor

L_ext

~ nH

- collector current up to 350mA

- low operation voltage V_CC< 3V

- high output power & linearity

MP:

now

- input matching improved by L_ext

RFin

- SCT595 package

E, 2,5

B,1

Vd = 2.0V, Id = 100mA

Symbol Parameter

IS21I²/ (G_MA) Power Gain / (max. available)

frequency

Unit

Value

900 MHz

1.8 GHz

900 MHz

1.8 GHz

900 MHz

1.8 GHz

900 MHz

1.8 GHz

17 (22)

11 (16)

1.3

Noise Figure

1.5

P-1dB

OIP3

Output Compression Point

Output Third Order Intercept Point

dBm

WS DS M 1

26.04.2002

Page 1

中文翻译

下载PDF

与BGB550相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BGB707L7ESD	INFINEON	获取价格	C Wideband MMIC LNA with Integrated ESD Protection
BGB717L7ESD	INFINEON	获取价格	SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for FM Radio Applications
BGB717L7ESDE6327XTSA1	INFINEON	获取价格	Narrow Band Low Power Amplifier, 76MHz Min, 108MHz Max, 2 X 1.30 MM, 0.40 MM HEIGHT, GREEN
BGB741L7ESD	INFINEON	获取价格	ESD-Robust and Easy-To-Use Broadband LNA MMIC
BGB741L7ESDE6327XTSA1	INFINEON	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 50MHz Min, 5500MHz Max, 2 X 1.30 MM, 0.40 MM HEIGHT, HALOGE
BGBL-1/0	AMPHENOL	获取价格	Ring Terminal
BGBL-250	AMPHENOL	获取价格	Ring Terminal
BGBL-4	AMPHENOL	获取价格	Ring Terminal
BGC100GN6	INFINEON	获取价格	BGC100GN6 双向耦合器 IC 专为 2G / 3G / 4G RF 前端应用而设计
BGC20DH	ZOWIE	获取价格	Low VF Rectifier Diode