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BGB550

更新时间： 2024-01-28 14:29:37

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其他 - ETC		晶体晶体管光电二极管信息通信管理放大器
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?Biased RF-Trans. in SIEGET45 Technology Icmax = 300mA. SCT595 ?

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BGB550 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	EMITTER
最大集电极电流 (IC)：	0.35 A	集电极-发射极最大电压：	4.5 V
配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	JESD-609代码：	e3
元件数量：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BGB550 数据手册

BGB550

Medium power broadband amplifier

MMIC

Bias, 3

C, 4

Features and Benefits

- mirror biased RF transistor

internal circuit

- mirror biased RF transistor

L_ext

~ nH

- collector current up to 350mA

- low operation voltage V_CC< 3V

- high output power & linearity

MP:

now

- input matching improved by L_ext

RFin

- SCT595 package

E, 2,5

B,1

Vd = 2.0V, Id = 100mA

Symbol Parameter

IS21I²/ (G_MA) Power Gain / (max. available)

frequency

Unit

Value

900 MHz

1.8 GHz

900 MHz

1.8 GHz

900 MHz

1.8 GHz

900 MHz

1.8 GHz

17 (22)

11 (16)

1.3

Noise Figure

1.5

P-1dB

OIP3

Output Compression Point

Output Third Order Intercept Point

dBm

WS DS M 1

26.04.2002

Page 1

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