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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.68 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.01 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 1.5 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFT46-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 10 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signa |
|
| BFT46TRL | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
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| BFT46TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 10 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signa |
|
| BFT47 | MICRO-ELECTRONICS |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, Metal, |
|
| BFT470KJF08 | VISHAY |
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RESISTOR, CARBON FILM, 6 W, 5 %, 470000 ohm, CHASSIS MOUNT |
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| BFT470MJF08 | VISHAY |
获取价格 |
RESISTOR, CARBON FILM, 6 W, 5 %, 470000000 ohm, CHASSIS MOUNT |
|
| BFT48 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
|
| BFT49 | ETC |
获取价格 |
NPN |
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| BFT50 | NJSEMI |
获取价格 |
TO-72 |
|
| BFT51F | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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