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| MICRO-ELECTRONICS |  |
晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 55K |  |
| 描述 | ||
| Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18 | ||
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.15 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JEDEC-95代码： | MO-041BB | JESD-30 代码： | R-CDSO-N6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 110 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFT57CSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 |
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| BFT57DCSM | SEME-LAB |
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Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed |
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| BFT58 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
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| BFT58 | MICRO-ELECTRONICS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18 |
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| BFT58CSM | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 |
|
| BFT58DCSM | SEME-LAB |
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Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed |
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| BFT59 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
|
| BFT59CSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 |
|
| BFT59DCSM | SEME-LAB |
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Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed |
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| BFT60 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in A Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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